UT4422
溶质的最大额定值
(T
A
= 25 ° C，除非另有规定编）
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
30
V
栅源电压
V
GSS
±20
连续漏电流（T
A
= 25_C ）（注1 ）
I
D
11
A
漏电流脉冲
I
DM
50
A
功率耗散（T
C
=25°C)
P
D
3
W
°C
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.脉冲宽度限制T
J（下最大）
热数据
参数
结到环境
结到外壳
符号
θ
JA
θ
JC
评级
59 ~ 75
16 ~ 24
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
门体漏电流
基本特征
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
=250 µA
V
DS
=24 V, V
GS
=0 V
V
DS
=0 V, V
GS
= ±20 V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250 µA
V
DS
=5V, V
GS
=4.5 V
V
GS
= 10V ，我
D
=11A
V
GS
= 4.5 V，I
D
=10 A
民
30
0.003
1
100
3
15
24
1250
220
140
24
nC
6.5
5.5
25
5
1
4.3
17.5
9.3
21
12
典型值
最大单位
V
µA
nA
V
A
mΩ
1
40
1.8
12.6
19.6
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=15V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=15V, V
GS
= 10V ，我
D
=11A
门源电荷
Q
GS
闸漏极电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
GS
=10V,V
DS
=15V,R
L
=1.35Ω,
R
根
=3Ω
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
二极管的正向电压
V
SD
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续
I
S
当前
体二极管反向恢复时间
t
RR
I
F
= 11 A， di / dt的= 100A / μs的
体二极管反向恢复
Q
RR
收费
800
140
80
15
1040
180
110
19.8
2.5
3.5
4.5
3.9
17.4
3.2
0.75
pF
ns
V
A
ns
nC
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3 6
QW-R502-206.B
UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
