2SC5658M3T5G 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SC5658M3T5G
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内容描述：	NPN硅通用晶体管放大器 [NPN Silicon General Purpose Amplifier Transistor]
分类和应用：	晶体放大器晶体管光电二极管
文件页数/大小：	4 页 / 48 K
品牌：	VAISH [ VAISHALI SEMICONDUCTOR ]

2SC5658M3T5G

NPN硅通用

用途放大器晶体管

此NPN晶体管被设计为通用放大器

应用程序。此装置被安置在SOT - 723封装是

专为低功率表面贴装应用中，电路板

空间是十分宝贵的。

•

板级空间缩小

•

高ħ

， 210 -460 （典型值）

•

低V

CE （ SAT ）

， < 0.5 V

•

静电放电性能：人体模型;

2000 V,

机器型号;

200 V

•

提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴

•

这是一个Pb - Free设备

http://onsemi.com

NPN通用

用途放大器

晶体管

表面贴装

集热器

最大额定值

= 25°C)

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

价值

5.0

100

单位

VDC

MADC

BASE

辐射源

热特性

等级

功率耗散（注1 ）

结温

存储温度范围

符号

英镑

最大

260

150

−55 ~ + 150

单位

°C

记号

图

SOT−723

CASE 631AA

XX M

1.装置安装在FR-4玻璃环氧印刷电路板用的

推荐最低足迹。

XX =具体设备守则

M =日期代码

订购信息

设备

2SC5658M3T5G

包

SOT−723

航运

†

3000 /磁带&卷轴

† 。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

2004年2月 - 修订版0

出版订单号：

2SC5658M3/D

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