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BYG21M-E3/TR 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BYG21M-E3/TR
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内容描述: 二极管, SMA FAST 1A 1000V [DIODE, SMA FAST 1A 1000V]
分类和应用: 二极管光电二极管PC局域网软恢复二极管快速软恢复二极管
文件页数/大小: 5 页 / 89 K
品牌: VAISH [ VAISHALI SEMICONDUCTOR ]
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BYG21K & BYG21M
威世通用半导体
快速雪崩整流贴片
特点
•薄型封装
•适合自动放置
•玻璃钝化结
•低反向电流
•软恢复特性
•快速反向恢复时间
DO- 214AC ( SMA)的
•符合MSL等级1 ,符合per J -STD- 020 , LF最大
260℃峰值
•浸焊260 ° C, 40秒
•按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
主要特征
I
F( AV )
V
RRM
I
FSM
I
R
V
F
t
rr
E
R
T
J
马克斯。
1.5 A
800 V, 1000 V
30 A
1.0 µA
1.6 V
120纳秒
20兆焦耳
150 °C
典型应用
对于电源的快速切换整治利用,
逆变器,转换器和续流二极管
消费电子,汽车和电信。
机械数据
案例:
DO- 214AC ( SMA)的
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端:
雾锡镀线索,每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次,满足JESD 201级
1A晶须测试, HE3后缀为高可靠性等级
( AEC Q101标准) ,符合JESD 201 2级
晶须测试
极性:
色环表示阴极结束
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
平均正向电流
峰值正向浪涌电流10毫秒单一正弦半波
叠加在额定负荷
在雪崩模式中的脉冲能量,非重复性
(感性负载开关关闭)I
( BR )R
= 1 A,T
J
= 25 °C
工作结存储温度范围
V
RRM
I
F( AV )
I
FSM
E
R
T
J
, T
英镑
符号
BYG21K
BYG21K
800
1.5
30
20
- 55至+ 150
BYG21M
BYG21M
1000
V
A
A
mJ
°C
单位
文档编号: 88961
修订: 11 -APR- 08
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