MBR7Hxx ， MBRF7Hxx & MBRB7Hxx系列
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 正向电流
降额曲线
10
MBR ， MBRB
8
175
图。 2 - 最大非重复性
峰值正向浪涌电流
峰值正向浪涌电流（ A）
T
J
= T
J
马克斯。
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
平均正向电流（ A）
150
125
100
75
50
25
6
MBRF
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100
外壳温度（ ° C）
周期数的AT 60 H
Z
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性
瞬时反向漏电流
（MA ）
100
10
图。 4 - 典型的反向
特征
T
J
= 150°C
1
T
J
= 125°C
0.1
正向电流（A ）
10
T
J
= 150°C
1
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.01
MBR7H35 - MBR7H45
MBR7H50 - MBR7H60
T
J
= 25°C
0.1
MBR7H35 - MBR7H45
MBR7H50 - MBR7H60
0.01
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
0.001
0.0001
0
20
40
60
80
100
正向电压（ V）
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5 - 典型结
电容
1000
图。 6 - 典型瞬态
热阻抗
10
100
Transeint热阻（ ° C / W）
PF - 结电容
T
J
= 25°C
F = 1.0 MH
Z
VSIG = 50mVp -P
1.0
10
MBR7H35 - MBR7H45
MBR7H50 - MBR7H60
1
0.1
1
10
100
0.1
0.01
0.1
1
10
反向电压（ V）
文档编号88796
14-Mar-03
T，脉冲持续时间（秒）。
www.vishay.com
3
VAISH [ VAISHALI SEMICONDUCTOR ]
