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型号: SI3585DV
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内容描述: N和P通道20 - V(D -S)的MOSFET [N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 60 K
品牌: VAISH [ VAISHALI SEMICONDUCTOR ]
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Si3585DV
Vishay Siliconix公司
N和P通道20 - V(D -S)的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
20
r
DS ( ON)
(W)
0.125 @ V
GS
= 4.5 V
0.200 @ V
GS
= 2.5 V
0.200 @ V
GS
= –4.5 V
I
D
(A)
2.4
1.8
–1.8
–1.2
P沟道
–20
0.340 @ V
GS
= –2.5 V
D
1
S
2
TSOP-6
顶视图
G1
1
6
D1
G
2
3 mm
S2
2
5
S1
G
1
G2
3
4
D2
2.85 mm
S
1
N沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
绝对最大额定值(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
N沟道
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流(T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
连续源电流(二极管传导)
a
最大功率耗散
a
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
I
D
I
DM
I
S
1.05
1.15
0.59
P沟道
10秒]
稳定状态
–20
"12
V
–1.5
–1.2
–7
A
–0.75
0.83
0.53
W
_C
符号
V
DS
V
GS
10秒]
稳定状态
20
"12
单位
2.4
1.7
8
2.0
1.4
–1.8
–1.3
0.75
0.83
0.53
-55到150
–1.05
1.15
0.59
工作结存储温度范围
热电阻额定值
N沟道
参数
t
v
10秒
最大结点到环境
a
最大结到脚(漏极)
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号: 71184
S- 03512 -REV 。 B, 04 -APR- 01
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
P沟道
典型值
93
130
75
符号
典型值
93
130
75
最大
110
150
90
最大
110
150
90
单位
° C / W
C / W
1