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SI4567DY 参数 Datasheet PDF下载

SI4567DY图片预览
型号: SI4567DY
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内容描述: 双N和P通道40 - V(D -S)的MOSFET [Dual N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 363 K
品牌: VAISH [ VAISHALI SEMICONDUCTOR ]
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SPICE器件模型Si4567DY
Vishay Siliconix公司
双N和P通道40 - V(D -S)的MOSFET
特征
N和P沟道垂直DMOS
宏模型(子电路模型)
3级MOS
同时申请线性和开关应用
在精确的
−55
至125°C温度范围
模型的栅极电荷,瞬态,二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的n型和p沟道垂直DMOS的特性。该
子电路模型中提取并优化过
−55
到脉冲0 -V的下至10 -V的栅极125℃的温度范围内
驾驶。饱和输出阻抗是在栅极偏压最佳拟合
附近的阈值电压。
一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络是用来模拟
同时避免收敛困难的栅极电荷特性
交换的C
gd
模型。所有的模型参数值进行了优化
以提供最适合于所测量的电数据,并且不
目的是作为该装置的一个具体的物理解释。
子电路模型示意图
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则,不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的
相同数量的保证规范限制的数据表。
文档编号: 74147
S- 60243Rev 。 A, 20 -FEB -06
www.vishay.com
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