Si6866DQ
Vishay Siliconix公司
双N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET
特点
I
D
(A)
"5.8
"5.0
产品概述
V
DS
(V)
20
r
DS （ ON）
(W)
0.030 @ V
GS
= 4.5 V
0.040 @ V
GS
= 2.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
2.5 V额定
D
铅（Pb ） - 免费版，符合RoHS
柔顺
可用的
D
1
D
2
TSSOP-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
D
8 D
7 D
6 D
5 D
G
1
G
2
Si6866DQ
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
订购信息： Si6866DQ -T1
Si6866DQ -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲（ 10
ms
脉冲宽度）
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
20
"12
"5.8
"4.7
"30
1.5
1.67
1.06
稳定状态
单位
V
"5.0
"4.0
A
1.1
1.2
0.76
−55
150
W
_C
热电阻额定值
参数
最大Ĵ
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71102
S- 50695 -REV 。 B， 18 -APR- 05
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
60
86
38
最大
75
105
45
单位
° C / W
C / W
1
VAISH [ VAISHALI SEMICONDUCTOR ]
