Si7430DP
Vishay Siliconix公司
N沟道150 V（ D- S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
150
R
DS （ ON）
(Ω)
0.045在V
GS
= 10 V
0.047在V
GS
= 8 V
I
D
(A)
a
26
23 NC
25
Q
g
（典型值）。
特点
•
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
•极低的Q
gd
为精简的dV / dt ，Q
gd
和
SHOOT - THROUGH
• 100 % R
g
经过测试
• 100 ％ UIS测试
•符合RoHS指令2002/95 / EC
采用PowerPAK SO- 8
6.15 mm
S
1
2
3
S
S
5.15 mm
应用
•初级侧开关
•单端电源开关
D
G
4
D
8
7
6
5
D
D
D
G
底部
意见
订货信息：
Si7430DP -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si7430DP -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
S
N沟道
MOSFET
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
150
± 20
26
21
7.2
B，C
5.7
B，C
50
32
4.5
B，C
20
20
64
44
5.2
B，C
3.3
B，C
- 55〜 150
260
单位
V
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
A
mJ
最大功率耗散
W
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
D，E
°C
热电阻额定值
参数
t
≤
10 s
19
24
最大结点到环境
B，F
° C / W
最大结至外壳（漏）
稳定状态
1.5
1.8
注意事项：
一。基于T
C
= 25 °C.
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
Ç 。 T = 10秒。
ð 。见焊接温度曲线（ www.vishay.com/ppg?73257 ） 。采用PowerPAK SO -8是一种无引线封装。引线端子的端部露出
铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证
并且不要求以确保足够的底侧的焊料互连。
Ë 。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
F。在稳态条件下最大为65 ° C / W 。
文档编号： 74282
S11-0212 -REV 。 C， 14 -FEB- 11
www.vishay.com
1
符号
R
thJA
R
thJC
典型
最大
单位
VAISH [ VAISHALI SEMICONDUCTOR ]
