SMBG5.0通SMG188CA
威世通用半导体
表面贴装牛逼
RANS
Z
ORB
®
瞬态电压抑制器
特点
•薄型封装
•适合自动放置
•玻璃钝化结
•提供单向和双向
•用600瓦峰值脉冲功率能力
10/1000微秒波形，重复率（占空比） ：
0.01 %
•出色的钳位能力
•非常快的响应时间
•低增量浪涌电阻
•符合MSL等级1 ，符合per J - STD-020C标准， LF最大峰值
260℃
•浸焊260℃ 40秒
•按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
5.0 V至188 V
600 W
100 A
150 °C
DO- 215AA （ SMBG ）
主要额定值及特点
V
WM
P
PPM
I
FSM
（单向只）
T
j
马克斯。
典型应用
使用对电压敏感的电子设备保护
诱发感性负载开关瞬变和
照明在芯片， MOSFET ，传感器单元的信号线
对于消费者来说，计算机，工业，汽车和
电信。
机械数据
案例：
DO- 215AA （ SMBG ）
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002B和JESD22- B102D
E3后缀为商业级， HE3后缀为高
可靠性级（AEC Q101标准）
极性：
对于单向类型的频带为
阴极月底，双向类型没有任何标记
FOR BIDIRECTION应用的器件
对于双向器件使用C或CA后缀
（例如SMBG10CA ） 。
电特性的应用中是双向的。
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
峰值脉冲功率耗散与10/1000微秒波形
(1,2)
（参见图1）
峰值脉冲电流具有10/1000 μs的波形
(1)
只有峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波单向
(2)
工作结存储温度范围
注意：
（1）非重复性的电流脉冲，每个图3及以上的牛逼降额
A
= 25 ℃，每图。 2
（2）装在0.2× 0.2" （ 5.0× 5.0毫米）铜焊盘给各终端
符号
P
PPM
I
PPM
I
FSM
T
J
, T
英镑
价值
最低600
看下表
100
- 55至+ 150
单位
W
A
A
°C
文档编号88456
05-Jul-06
www.vishay.com
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VAISH [ VAISHALI SEMICONDUCTOR ]
