ZGL41-100 THRU ZGL41-200A
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 最大连续功率
耗散
P
M（ AV） -
平均功耗（ W）
1.0
60Hz
电阻或
感性负载
0.75
10,000
图。 2 - 典型的齐纳阻抗
Z
Z
- 动态齐纳阻抗（ Ω ）
V
Z
= 200V
1,000
V
Z
= 180V
V
Z
= 150V
V
Z
= 120V
100
V
Z
= 100V
0.5
0.25
P.C.B.安装在
0.31 X 0.31 X 0.08 （ 8 ×8× 2毫米）
铜焊盘区
0
25
50
75
100
125
150
175
10
0.1
1
10
端子温度（
°
C)
I
ZT
- 齐纳测试电流（mA ）
图。 3 - 典型正向
特征
10
10
图。 4 - 典型的反向特性
瞬时反向电流（ μA ）
正向电流（A ）
1
1
T
J
= 100°C
0.1
脉冲宽度= 300μS
1 ％占空比
T
J
= 25°C
0.1
T
J
= 25°C
0.01
0
20
40
60
80
100
0.01
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
正向电压（ V）
额定齐纳电压百分比（ ％ ）
图。 5 - 稳态功率
降额曲线
θV
Z
- 温度系数（毫伏/ ℃）
10
220
200
经测试，在额定我
ZT
180
160
140
120
100
80
100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200
图。 6 - 典型的齐纳电压
I
ZT
- 测试齐纳电流（mA ）
1
0.1
100
150
200
250
V
Z
- 齐纳电压（V ）
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2
V
Z
- 齐纳电压（V ）
文档编号88409
02-May-02
VAISH [ VAISHALI SEMICONDUCTOR ]
