Si5935DC
Vishay Siliconix公司
双P沟道1.8 V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
- 20
R
DS （ ON）
(Ω)
0.086在V
GS
= - 4.5 V
0.121在V
GS
= - 2.5 V
0.171在V
GS
= - 1.8 V
I
D
(A)
- 4.1
- 3.4
- 2.9
特点
•
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
• TrenchFET
®
功率MOSFET
•低R
DS （ ON）
双和出色的动力
处理这种紧凑型
•符合RoHS指令2002/95 / EC
1206-8 ChipFET
®
1
S
1
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
S
2
G
2
应用
- 负荷开关
• PA的开关
- 电池开关
标识代码
DF XX
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
S
1
S
2
G
1
G
2
底部视图
D
1
订货信息：
Si5935DC -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si5935DC -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
B，C
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
- 1.8
2.1
1.1
- 55〜 150
260
- 4.1
- 2.9
- 15
- 0.9
1.1
0.6
W
°C
5s
±8
-3
- 2.2
A
稳定状态
- 20
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
t
≤
5s
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
50
90
30
最大
60
110
40
° C / W
单位
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀） ，结果
在制造单片化过程。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不要求保证
充足的底侧焊接互连。
Ç 。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 72220
S10-0936 -REV 。 C， 19 -APR- 10
www.vishay.com
1
VECTRON [ Vectron International, Inc ]
