1N5820 1N5822直通
威世通用半导体
肖特基势垒整流器
特点
•
•
•
•
•
•
•
•
Guardring过电压保护
非常小的传导损耗
极快的开关
低正向压降
高正向浪涌能力
高频率运行
浸焊260 ° C， 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
DO-201AD
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
马克斯。
3.0 A
20 V, 30 V, 40 V
80 A
0.475 V, 0.500 V, 0.525 V
125 °C
典型应用
适用于低电压高频率逆变器的使用，
续流，直流 - 直流转换器，和极性
保护应用。
机械数据
案例：
DO-201AD
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须试验
极性：
色环表示阴极结束
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
非重复性峰值反向电压
最大正向平均整流电流0.375" （9.5 mm）引线
长度在T
L
= 95 °C
峰值正向浪涌电流， 8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
存储温度范围
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
V
RSM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J
, T
英镑
1N5820
20
14
20
24
1N5821
30
21
30
36
3.0
80
- 65至+ 125
1N5822
40
28
40
48
单位
V
V
V
V
A
A
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大正向电压
(1)
最大正向电压
(1)
额定最大平均反向电流
阻断电压DC
(1)
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
文档编号： 88526
修订： 20 - 8 - 07
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
155
测试条件
3.0
9.4
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
符号
V
F
V
F
I
R
1N5820
0.475
0.850
1N5821
0.500
0.900
2.0
20
1N5822
0.525
0.950
单位
V
V
mA
VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
