4N32/4N33
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出，
高增益，与基地连接
特点
•非常高的电流传输比， 500 ％以上。
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
•高绝缘电阻， 10
11
Ω
典型
•标准塑料DIP封装
•铅（Pb） -free组件
•按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
i179005
机构认证
• UL1577 ，文件号。 E76222系统代码中的
• DIN EN 60747-5-5可用的选项1
• BSI IEC 60950 ; IEC 60065
描述
该4N32 4N33和光学耦合隔离带
砷化镓红外发光二极管和一个solicon光电复合
传感器。
开关，同时保持高度的实现
驾驶与负载电路之间的隔离。
这些光电耦合器可以被用来代替簧片和
水银继电器具有寿命长，高速的优点
开关和消除磁性连接的视场中。
订购信息
部分
4N32
4N33
备注
CTR > 500 ％ ， DIP - 6
CTR > 500 ％ ， DIP - 6
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
正向电流
功耗
线性降额
产量
集电极发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极基极击穿电压
集电极发射极击穿电压
收集器（负载）电流
功耗
线性降额
(1)
测试条件
符号
V
R
I
F
P
DISS
价值
6.0
60
100
1.33
单位
V
mA
mW
毫瓦/°C的
V
V
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
从55°C
BV
首席执行官
BV
EBO
BV
CBO
BV
ECO
I
C
P
DISS
30
8.0
50
5.0
150
150
2.0
文档编号： 83736
修订版1.5 ， 07- 08年5月
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
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VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
