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BF998R 参数 Datasheet PDF下载

BF998R图片预览
型号: BF998R
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内容描述: N沟道双栅MOS -场效应四极管,耗尽型 [N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 158 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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BF998/BF998R/BF998RW
威世德律风根
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C除非另有说明)
300
P
合计
- 总功率耗散( mW)的
20
250
I
D
- 漏电流(mA )
16
12
8
0
4
V
G1S
= –1V
0
0
96 12159
4V
V
DS
= 8V
5V
3V
2V
1V
200
150
100
50
20
40
60
80
100 120 140 160
12817
0
–0.6
–0.2
0.2
0.6
1.0
1.4
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
V
G2S
- 2号门源极电压( V)
图1.总功耗对比
环境温度
30
25
I
D
- 漏电流(mA )
20
15
10
5
0
0
12812
图4.漏电流与2号门源电压
3.0
V
G2S
= 4V
V
G1S
= 0.6V
C
issg1
- 1号门的输入电容(pF )
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
–2
V
DS
=8V
V
G2S
=4V
f=1MHz
0.4V
0.2V
0
–0.2V
–0.4V
2
4
6
8
10
–1.5 –1.0 –0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
V
DS
- 漏源电压( V)
12863
V
G1S
- 1号门源极电压( V)
图2.漏极电流与漏源电压
图5.门1输入电容与
1号门源电压
3.0
C
OSS
- 输出电容(pF )
20
V
DS
= 8V
I
D
- 漏电流(mA )
16
12
8
4
0
–0.8
12816
6V
5V
4V
3V
2V
1V
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
V
G2S
=4V
f=1MHz
0
V
G2S
=–1V
–0.4
0.0
0.4
0.8
1.2
2
12864
4
6
8
10
12
V
G1S
- 1号门源极电压( V)
V
DS
- 漏源电压( V)
图3.漏电流与1号门源电压
图6.输出电容与漏源电压
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4 (9)
文档编号85011
第4版, 23军, 99