新产品
ES1A通ES1D
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大正向
电压
最大DC反向电流在额定
阻断电压DC
最大反向恢复时间
最大反向恢复时间
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，L
rr
= 0.25 A
I
F
= 0.6 A，V
R
= 30 V,
的di / dt = 50A / μs的，我
rr
= 10 % I
RM
I
F
= 0.6 A，V
R
= 30 V,
的di / dt = 50A / μs的，我
rr
= 10 % I
RM
4.0 V， 1 MHz的
T
J
= 25 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 100 °C
I
F
= 0.6 A
I
F
= 1.0 A
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
测试条件
符号
V
F (1)
V
F
I
R
t
rr
t
rr
价值
0.865
0.920
5.0
100
15
25
35
10
25
10
单位
V
μA
ns
ns
最大存储电荷
典型结电容
Q
rr
C
J
nC
pF
记
(1)
脉冲试验： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
符号
R
θJA
(1)
R
θJL
(1)
ES1A
ES1B
85
° C / W
35
ES1C
ES1D
单位
(1)
记
机组安装在PCB 5.0毫米×5.0毫米（ 0.013毫米厚）土地面积
订购信息
（例）
首选的P / N
ES1D-M3/61T
ES1D-M3/5AT
单位重量（g ）
0.064
0.064
首选包装代码
61T
5AT
基地数量
1800
7500
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
1.2
30
正向平均整流电流（ A）
1.0
峰值正向浪涌电流（ A）
8.3ms单一正弦半波
25
0.8
20
0.6
15
0.4
负载电阻或电感
P.C.B.安装在
0.2" X 0.2" （5.0毫米× 5.0毫米）
铜焊盘区
80
90
100
110
120
130
140
150
10
0.2
5
0
0
1
10
100
铅温度（ ℃）
循环次数在60赫兹
图。 1 - 最大正向电流降额曲线
图。 2 - 最大非重复性峰值正向浪涌电流
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2
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修订： 19 -APR- 11
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