GSOT03C到GSOT36C
两线ESD保护的SOT- 23
威世半导体
电气特性GSOT08C
参数
保护路径
反向工作电压
反向电流
反向击穿电压
反向钳位电压
电容
测试条件/备注
行数可被保护的
在我
R
= 5 μA
在V
R
= 8.5 V
在我
R
= 1毫安
在我
PP
= 1 A
在我
PP
= I
PPM
= 18 A
在V
R
= 0 V ; F = 1 MHz的
在V
R
= 4 V ; F = 1 MHz的
符号
N
通道
V
RWM
I
R
V
BR
V
C
C
D
分钟。
-
8.5
-
9.5
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
10.7
11.7
18.5
80
60
马克斯。
1
-
5
-
14
22.2
125
-
单位
线
V
μA
V
V
V
pF
pF
记
•在25 ° C，除非另有规定的环境温度额定值。偏置模式（引脚1之间为2或2脚为1 ; 3脚未连接）
电气特性GSOT12C
参数
保护路径
反向工作电压
反向电流
反向击穿电压
反向钳位电压
电容
测试条件/备注
行数可被保护的
在我
R
= 1 μA
在V
R
= 12.5 V
在我
R
= 1毫安
在我
PP
= 1 A
在我
PP
= I
PPM
= 12 A
在V
R
= 0 V ; F = 1 MHz的
在V
R
= 7.5 V ; F = 1 MHz的
符号
N
通道
V
RWM
I
R
V
BR
V
C
C
D
分钟。
-
12.5
-
13.5
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
15.7
16.4
23.4
58
36
马克斯。
1
-
1
-
19.7
28.1
75
-
单位
线
V
μA
V
V
V
pF
pF
记
•在25 ° C，除非另有规定的环境温度额定值。偏置模式（引脚1之间为2或2脚为1 ; 3脚未连接）
电气特性GSOT15C
参数
保护路径
反向工作电压
反向电流
反向击穿电压
反向钳位电压
电容
测试条件/备注
行数可被保护的
在我
R
= 1 μA
在V
R
= 15.5 V
在我
R
= 1毫安
在我
PP
= 1 A
在我
PP
= I
PPM
= 8 A
在V
R
= 0 V ; F = 1 MHz的
在V
R
= 7.5 V ; F = 1 MHz的
符号
N
通道
V
RWM
I
R
V
BR
V
C
C
D
分钟。
-
15.5
-
17
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
18.7
20.4
26.6
45
25
马克斯。
1
-
1
-
24.5
30.6
60
-
单位
线
V
μA
V
V
V
pF
pF
记
•在25 ° C，除非另有规定的环境温度额定值。偏置模式（引脚1之间为2或2脚为1 ; 3脚未连接）
电气特性GSOT24C
参数
保护路径
反向工作电压
反向电流
反向击穿电压
反向钳位电压
电容
测试条件/备注
行数可被保护的
在我
R
= 1 μA
在V
R
= 24.5 V
在我
R
= 1毫安
在我
PP
= 1 A
在我
PP
= I
PPM
= 5 A
在V
R
= 0 V ; F = 1 MHz的
在V
R
= 12 V ; F = 1 MHz的
符号
N
通道
V
RWM
I
R
V
BR
V
C
C
D
分钟。
-
24.5
-
27.5
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
30.7
34
40
33
18
马克斯。
1
-
1
-
41
48
40
-
单位
线
V
μA
V
V
V
pF
pF
记
•在25 ° C，除非另有规定的环境温度额定值。偏置模式（引脚1之间为2或2脚为1 ; 3脚未连接）
文档编号： 85824
2.0版本， 22 10年7月
如有技术问题，请联系：
ESDprotection@vishay.com
www.vishay.com
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VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
