H11B1/H11B2/H11B3
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出，
高增益，与基地连接
特点
•绝缘测试电压： 5300 V
RMS
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
•耦合电容为0.5pF
•铅（Pb） -free组件
•按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
i179005
机构认证
描述
该
H11B1/H11B2/H11B3
是
工业
标准
光电耦合器，由一个砷化镓红外发光二极管
和硅光电复合。
• UL1577 ，文件号E52744系统代码为J
• DIN EN 60747-5-5可用的选项1
订购信息
部分
H11B1
H11B2
H11B3
H11B1-X007
H11B1-X009
H11B2-X009
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
CTR > 500 ％ ， DIP - 6
CTR > 200 ％ ， DIP - 6
CTR > 100 ％ ， DIP - 6
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 200 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
正向连续电流
功耗
从25° C减免线性
产量
集电极发射极击穿电压
集电极发射极击穿电压
集电极基极击穿电压
集电极电流（连续）
功耗
从25° C减免线性
BV
首席执行官
BV
ECO
BV
CBO
I
C
P
DISS
25
7
30
100
150
2
V
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
V
R
I
F
P
DISS
3
60
100
1.33
V
mA
mW
毫瓦/°C的
测试条件
符号
价值
单位
文档编号： 83609
修订版1.5 ， 08 08年5月
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
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VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
