IRF9530 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF9530
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内容描述：	功率MOSFET [Power MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	8 页 / 567 K
品牌：	VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]

IRF9530 ， SiHF9530

Vishay Siliconix公司

功率MOSFET

产品概述

(V)

DS （ ON）

(Ω)

（最大值）（ NC ）

（ NC ）

CON组fi guration

= - 10 V

6.8

单身

特点

- 100

0.30

•

动态的dv / dt额定值

额定重复性雪崩

P沟道

175°C的工作温度

快速开关

易于并联的

简单的驱动要求

铅（Pb ），免费提供

可用的

RoHS指令*

柔顺

TO-220

描述

Vishay的第三代功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和

成本效益。

在TO- 220封装普遍首选的所有

商业工业应用的功率耗散

水平，以约50瓦的低热阻

和TO- 220封装低的成本导致其广泛

接受整个行业。

P沟道MOSFET

订购信息

包

铅（Pb ） - 免费

SNPB

TO-220

IRF9530PbF

SiHF9530-E3

IRF9530

SiHF9530

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

脉冲漏

当前

在 - 10 V

= 25 °C

= 100 °C

符号

= 25 °C

dv / dt的

, T

英镑

10秒

6-32或M3螺丝

极限

- 100

± 20

- 12

- 8.2

- 48

0.59

400

- 12

8.8

- 5.5

- 55〜 + 175

300

1.1

W / ℃，

V / ns的

°C

磅力·中

N·m的

单位

线性降额因子

单脉冲雪崩能量

重复性雪崩

当前

能源

dv / dt的

最大功率耗散

峰值二极管恢复

工作结存储温度范围

焊接建议（峰值温度）

安装力矩

笔记

一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。

B 。 V

= - 25 V ，起始物为

= 25 ° C，L = 4.2 mH的，R

= 25

Ω,

= - 12 A（见图12 ）。

C.我

≤

- 12 A， di / dt的

≤

140 A / μs的，V

≤

, T

≤

175 °C.

ð 。 1.6毫米的情况。

*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免

文档编号： 91076

S- 81272 -REV 。 A， 16军08

www.vishay.com

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