IRFD120 ， SiHFD120
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
16
4.4
7.7
单身
D
特点
100
0.27
•动态的dv / dt额定值
•额定重复性雪崩
•自动插入
•可堆叠结束
• 175 ° C的工作温度
•快速开关
•易于并联的
•铅（Pb） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
HEXDIP
描述
G
S
D
G
S
N沟道
MOSFET
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
4引脚DIP封装是一种低成本的机器导入案例
样式可被堆叠在多个组合上
标准0.1"销中心。双重排液作为热
连接到安装表面，用于功率耗散水平达
1 W.
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
HEXDIP
IRFD120PbF
SiHFD120-E3
IRFD120
SiHFD120
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
当前
a
能源
b
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
极限
100
± 20
1.3
0.94
10
0.0083
100
1.3
0.13
1.3
5.5
- 55〜 + 175
300
d
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
A
单位
V
线性降额因子
单脉冲雪崩
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 22 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 2.6 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
9.2 A， di / dt的
≤
110 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
175 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91128
S- 81393 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
www.vishay.com
1
VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
