IRFP150 ， SiHFP150
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
140
29
68
单身
D
特点
100
0.055
•
•
•
•
•
•
•
•
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
隔离区安装孔
175°C的工作温度
快速开关
易于并联的
简单的驱动要求
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
TO-247
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
在TO- 247封装的首选商业工业
应用更高的功率水平排除使用
的TO-220的设备。该TO- 247类似，但优于
早期的TO- 218封装，因为它孤立的安装孔。
它也提供了引脚之间更大的爬电距离
满足大多数安全技术规范的要求。
G
S
D
G
S
N沟道
MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-247
IRFP150PbF
SiHFP150-E3
IRFP150
SiHFP150
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
当前
a
能源
b
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
6-32或M3螺丝
极限
100
± 20
41
29
160
1.5
830
41
19
230
5.5
- 55〜 + 175
300
d
10
1.1
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
线性降额因子
单脉冲雪崩
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复
dv / dt的
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 740 μH ，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 41 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
41 A， di / dt的
≤
300 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
175 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91203
S- 81369 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
www.vishay.com
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VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
