IRFP460A ， SiHFP460A
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
105
26
42
单身
D
特点
500
0.27
•低栅极电荷Q
g
结果简单驱动
需求
•改进的门，雪崩和动态dv / dt的
耐用性
•全
特征
电容
和
雪崩电压和电流
•有效的C
OSS
特定网络版
•铅（Pb） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
TO-247
应用
•开关模式电源（SMPS ）
•不间断电源
•高速电源开关
G
典型SMPS拓扑
S
D
G
S
N沟道
MOSFET
=全桥
• PFC升压
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-247
IRP460APbF
SiHFP460A-E3
IRP460A
SiHFP460A
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩
能源
a
T
C
= 25 °C
dv / dt的
c
10秒
6-32或M3螺丝
最大功率耗散
峰值二极管恢复
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
500
± 30
20
13
80
2.2
960
20
28
280
3.8
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 4.3 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 20 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
20 A ， di / dt的
≤
125 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91234
S- 81360 -REV 。 A， 7月28日 - 08
www.vishay.com
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