IRFR014 ， IRFU014 ， SiHFR014 ， SiHFU014
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
11
3.1
5.8
单身
D
特点
60
0.20
•
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
•动态的dv / dt额定值
•表面贴装（ IRFR014 ， SiHFR014 ）
•直铅（ IRFU014 ， SiHFU014 ）
•可用磁带和卷轴
•快速开关
•易于并联的
•简单的驱动要求
•符合RoHS指令2002/95 / EC
DPAK
(TO-252)
D
D
IPAK
(TO-251)
描述
G
G
S
G
ð S
S
N沟道MOSFET
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
该DPAK是专为使用蒸汽表面安装
相，红外，或波焊工艺。直
铅版（ IRFU ， SiHFU系列）是通孔
安装应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦
是可能的典型的表面安装的应用程序。
订购信息
包
铅（ Pb），且无卤
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
DPAK （ TO- 252 ）
SiHFR014-GE3
IRFR014PbF
SiHFR014-E3
IRFR014
SiHFR014
DPAK （ TO- 252 ）
SiHFR014TRL-GE3
IRFR014TRLPbF
a
SiHFR014TL-E3
a
IRFR014TRL
a
SiHFR014TL
a
DPAK （ TO- 252 ）
SiHFR014TR-GE3
IRFR014TRPbF
a
SiHFR014T-E3
a
IRFR014TR
a
SiHFR014T
a
IPAK （ TO- 251 ）
SIHFU014-GE3
IRFU014PbF
SiHFU014-E3
IRFU014
SiHFU014
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
极限
60
± 20
7.7
4.9
31
0.20
0.020
27.4
25
2.5
4.5
- 55至+ 150
260
d
单位
V
A
脉冲漏
I
DM
线性降额因子
线性降额因子（ PCB安装）
e
单脉冲雪崩能量
b
E
AS
最大功率耗散
T
C
= 25 °C
P
D
e
T
A
= 25 °C
最大功率耗散（ PCB安装）
峰值二极管恢复的dv / dt
c
dv / dt的
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
焊接建议（峰值温度）
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 924 μH ，R
g
= 25
Ω,
I
AS
= 7.7 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
10 A ， di / dt的
≤
90 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
Ë 。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91263
S10-1122 -REV 。 D， 10日， 10
W / ℃，
mJ
W
V / ns的
°C
www.vishay.com
1
VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
