MOC8111/MOC8112
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
没有基连接
绝对最大额定值
(1)
参数
耦合器
发射极之间的绝缘测试电压
和探测器参照标准气候
23/50 DIN 50014
爬电距离
间隙距离
间隔离厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
(2)
最大。 10秒，浸焊的距离
以飞机座位
≥
1.5 mm
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
CTI
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
V
ISO
5300
≥
7
≥
7
≥
4
175
10
12
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
260
Ω
Ω
°C
°C
°C
V
RMS
mm
mm
mm
测试条件
符号
价值
单位
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件（ SMD ）焊接条件。请参阅波曲线为通过焊接条件
孔器件（ DIP ） 。
电气特性
参数
输入
正向电压
反向漏电流
结电容
产量
集电极发射极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
集电极发射极击穿电压
集电极 - 发射极电容
耦合器
集电极饱和电压
I
C
= 500 μA ，我
F
= 10毫安
V
CESAT
0.15
0.4
V
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
I
C
= 1.0 µA
V
CE
= 10 V
I
E
= 10 µA
V
CE
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
BV
首席执行官
I
首席执行官
BV
ECO
C
CE
7.0
7.0
30
1.0
50
V
nA
V
pF
I
F
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V = 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
F
I
R
C
j
1.15
0.05
25
1.5
10
V
µA
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
电流传输比
参数
电流传输比
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V
部分
MOC8111
MOC8112
符号
CTR
CTR
分钟。
20
50
典型值。
马克斯。
单位
%
%
开关特性
参数
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
Ω
I
C
= 2.0毫安，见图1
V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
Ω
I
C
= 2.0毫安，见图1
符号
t
on
t
关闭
分钟。
典型值。
7.5
5.7
马克斯。
20
20
单位
µs
µs
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2
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83661
修订版1.5 11 -JAN- 08
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