MOC8101/MOC8102/MOC8103/MOC8104/MOC8105
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
没有基连接
绝对最大额定值
(1)
参数
输入
反向电压
正向连续电流
正向电流浪涌
功耗
线性降额从25℃
产量
集电极发射极击穿电压
集电极发射极击穿电压
集电极电流
线性降额从25℃
功耗
耦合器
绝缘测试电压
爬电距离
间隙距离
间隔离厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分
绝缘电阻
从25° C减免线性
总功耗
储存温度
工作温度
结温
焊接温度
(2)
测试条件
符号
V
R
I
F
价值
6.0
60
2.5
100
1.33
单位
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
V
V
mA
毫瓦/°C的
mW
V
RMS
mm
mm
mm
t
≤
10 µs
I
FSM
P
DISS
BV
首席执行官
BV
ECO
I
C
P
DISS
V
ISO
30
7.0
50
2.0
150
5300
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
CTI
V
IO
= 500 V
R
IO
P
合计
T
英镑
T
AMB
T
j
最大。 10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm
T
SLD
175
10
12
3.33
250
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
Ω
毫瓦/°C的
mW
°C
°C
°C
°C
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件（ SMD ）焊接条件。请参阅波曲线为通过焊接条件
孔器件（ DIP ） 。
电气特性
参数
输入
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
热阻
产量
集电极 - 发射极电容
集电极 - 发射极暗电流
集电极发射极击穿电压
集电极发射极击穿电压
热阻
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2
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 10 V ，T
AMP
= 25 °C
V
CE
= 10 V ，T
AMP
= 100 °C
I
C
= 1.0毫安
I
E
= 100
μA
MOC8101
MOC8102
C
CE
I
CEO1
I
CEO1
BV
首席执行官
BV
ECO
R
thJA
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
30
7.0
500
5.2
1.0
1.0
50
pF
nA
µA
V
V
K / W
文档编号： 83660
修订版1.5 11 -JAN- 08
I
F
= 10毫安
I
R
= 10 µA
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
thJA
6.0
0.01
25
750
10
1.25
1.5
V
V
µA
pF
K / W
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
