SI2315DS-T1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SI2315DS-T1
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内容描述：	P沟道1.25 W， 1.8 V（G -S ）的MOSFET [P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
文件页数/大小：	4 页 / 60 K
品牌：	VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]

Si2315DS

Vishay Siliconix公司

P沟道1.25 W， 1.8 V（G -S ）的MOSFET

产品概述

(V)

- 12

DS （ ON）

(W)

0.055 @ V

= - 4.5 V

0.075 @ V

= - 2.5 V

0.118 @ V

= - 1.8 V

(A)

"3.5

TO-236

(SOT-23)

订购信息： Si2315DS -T1

顶视图

Si2315DS （C5） *

*标识代码

绝对最大额定值（T

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（T

= 150_C)

A，B

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

A，B

最大功率耗散

A，B

工作结存储温度范围

= 25_C

= 70_C

= 25_C

= 70_C

符号

, T

英镑

极限

- 12

"3.5

"2.8

"12

- 1.6

1.25

0.8

- 55〜 150

单位

热电阻额定值

参数

最大结到环境

结到环境

笔记

一。表面安装在FR4板。

B 。吨

美国证券交易委员会。

通过万维网SPICE模型信息： http://www.vishay.com/www/product/spice.htm

文档编号： 70850

S- 31990 -REV 。 C， 13 - OCT- 03

www.vishay.com

5秒

稳定状态

符号

thJA

典型

130

最大

100

单位

° C / W

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