SI4410DY-T1-REVA 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SI4410DY-T1-REVA
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内容描述：	N通道30 -V （D -S ）的MOSFET [N-Channel 30-V (D-S) MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 57 K
品牌：	VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]

Si4410DY

Vishay Siliconix公司

N通道30 -V （D -S ）的MOSFET

产品概述

(V)

特点

TrenchFETr功率MOSFET

(A)

DS （ ON）

(W)

0.0135 @ V

= 10 V

0.020 @ V

= 4.5 V

SO-8

顶视图

订购信息： Si4410DY - REVA

Si4410DY -T1- REVA （带编带和卷轴）

Si4410DY - REVA -E3 （无铅）

Si4410DY -T1 -A- E3 （无铅带卷带式）

N沟道MOSFET

绝对最大额定值（T

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（T

= 150_C)

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

最大功率耗散

工作结存储温度范围

= 25_C

= 70_C

= 25_C

= 70_C

符号

, T

英镑

极限

"20

2.3

2.5

1.6

- 55〜 150

单位

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

最大结到脚（漏极）

笔记

一。表面安装在FR4板，T

10秒。

文档编号： 71726

S- 40838 -REV 。 L， 03月， 04

www.vishay.com

符号

thJA

thJF

极限

单位

° C / W

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