Si4532DY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V V
GS
=
"20
V
V,
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= –30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
= –30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
通态漏电流
B
I
D（上）
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
DS
w
–5 V, V
GS
= –10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.9 A
漏源导通状态
漏源导通电阻
B
r
DS （ ON）
V
GS
= -10 V，I
D
= –2.5 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.1 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –1.8 A
正向跨导
B
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 3.9 A
V
DS
= -15 V，I
D
= – 2.5 A
I
S
= 1.7 A，V
GS
= 0 V
I
S
= -1.7 A，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
15
A
–15
0.043
0.066
0.075
0.125
7
S
5
0.8
–0.8
1.2
V
–1.2
0.065
0.085
0.095
0.19
W
1.0
V
–1.0
"100
"100
1
–1
25
–25
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
门体漏
I
GSS
二极管的正向电压
B
动态
A
V
SD
N沟道
总栅极电荷
Q
g
N沟道
N沟道
V
DS
= 10 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 3.9 A
P沟道
V
DS
= –10 V, V
GS
= -10 V，I
D
= –2.5 A
10 V
10 V
25
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
导通延迟时间
t
D（上）
N沟道
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
P沟道
V
DD
= -10 V ，R
L
= 10
W
10 V
I
D
^
-1 A，V
根
= -10 V ，R
G
= 6
W
,
,
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
下降时间
源极 - 漏极
反向恢复时间
t
f
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
I
F
= -1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
P沟道
N沟道
P沟道
9.8
8.7
2.1
15
15
nC
栅极 - 源电荷
Q
gs
1.9
1.6
1.3
9
7
6
9
18
14
6
8
52
50
15
15
18
18
27
ns
27
15
15
80
80
上升时间
t
r
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
t
rr
笔记
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
日前，Vishay Siliconix公司， LAURELWOOD路2201 ，圣克拉拉， CA 95054
S
电话(408)988-8000
S
FaxBack (408)970-5600
S
www.siliconix.com
S- 56944 -REV 。 D， 23 - NOV- 93
Siliconix公司的前身是TEMIC半导体公司的一个分公司
3-2
VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
