128Mb的同步DRAM
P2V28S20ATP - 7 ， -75 ， -8 （ 4 - X银行8,388,608 - WORD ×4位）
P2V28S30ATP - 7 ， -75 ， -8 （ 4 - X银行4,194,304 - WORD ×8位）
P2V28S40ATP - 7 ， -75 ， -8 （ 4 - X银行2,097,152 - WORD ×16位）
基本功能
该P2V28S20 ， 30和40ATP提供基本功能，
银行（行）激活，突发读取/写入，银行（行）预充电，
和自动/自刷新。
每一个命令是由/ RAS ， / CAS控制信号定义
/我们在CLK的上升沿。除了3个信号， / CS ， CKE和
A10被用作芯片选择，刷新选择离子，和预充电
选项，分别。
要知道命令的详细定义，请参见的COM
命令真值表。
CLK
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
CKE
A10
芯片选择： L =选择， H =取消
命令
命令
命令
刷新选项@刷新命令
预充电选@预充电或读/写命令
定义基本的命令
激活（ ACT ） [ / RAS = L ， / CAS = / WE = H]
ACT命令激活一排由BA表示闲置银行。
读（READ ） [ / RAS = H ， / CAS = L ， / WE = H]
READ命令启动突发由BA表示当前银行读取。首页输出
后/ CAS延迟数据出现。当A10 = H在此命令中，银行为禁止
tivated突发读取（自动预充电后，
READA ） 。
写（ WRITE） [ / RAS = H， / CAS = / WE = L]
写命令启动突发写入由广管局表示活动的银行。总数据
要写入的长度是由脉冲串长度设置。当A10 = H在此命令中，银行
突发写入后无效（自动预充电，
WRITEA ） 。
预充电（PRE ） / RAS = L ， / CAS = H， / WE = L]
PRE命令将停用由BA表示活动的银行。该命令还
终止脉冲串的读/写操作。当A10 = H在此命令，所有银行
停用（预充电所有，
PREA
).
自动刷新（ REFA ） [ / RAS = / CAS = L ， / WE = CKE = H ]
REFA命令启动自动刷新周期。刷新地址包括银行地址
在内部产生。该命令后，银行会自动预充电。
JULY.2000
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Rev.2.2
VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
