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    VG26S17400FJ-6 参数 Datasheet PDF下载

    VG26S17400FJ-6图片预览
    型号： VG26S17400FJ-6
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4194304 ×4 - 位CMOS动态RAM [4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 25 页 / 210 K
    品牌： VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号VG26S17400FJ-6的Datasheet PDF文件第2页浏览型号VG26S17400FJ-6的Datasheet PDF文件第3页浏览型号VG26S17400FJ-6的Datasheet PDF文件第4页浏览型号VG26S17400FJ-6的Datasheet PDF文件第5页浏览型号VG26S17400FJ-6的Datasheet PDF文件第6页浏览型号VG26S17400FJ-6的Datasheet PDF文件第7页浏览型号VG26S17400FJ-6的Datasheet PDF文件第8页浏览型号VG26S17400FJ-6的Datasheet PDF文件第9页  
    VIS
    描述
    或仅3.3V电源。低电压工作，以对电池使用更合适的
    VG26(V)(S)17400FJ
    4194304 ×4 - 位
    CMOS动态RAM
    该装置是CMOS动态随机存储器组织为4,194,304字× 4位。据制作
    采用先进的亚微米CMOS工艺和设计，采用5V单电源工作只
    备份，便携式电子应用。支持所谓的“自动刷新”一个新的刷新功能
    并正在执行的非常慢CBR循环。它被封装在JEDEC标准26/24 - 销
    塑料SOJ或TSOP （II）中。
    特点
    •单5V （
    ±
    10％）或3.3V （ 10 ％ ， - 5％）只有电源
    •高速吨
    RAC
    访问时间： 50/60 NS
    •低功耗
    - 主动模式：
    5V版本五百五十〇分之六百零五毫瓦（最大）
    3.3V版三百六十分之三百九十六毫瓦（最大）
    - 待机模式：
    5V版本1.375毫瓦（最大）
    3.3V版本0.54毫瓦（最大）
    •快速页模式访问
    • I / O电平： TTL兼容（VCC = 5V ）
    LVTTL兼容（VCC = 3.3V ）
    •在32毫秒（标准）或128毫秒2048的更新周期（S - 版）
    • 4刷新模式：
    - RAS只刷新
    - CAS先于RAS刷新
    - 隐藏刷新
    - 自我 - 刷新（S - 版）
    文件：
    启示录
    第1页

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