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VG26S18165CJ-5 参数 Datasheet PDF下载

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型号: VG26S18165CJ-5
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内容描述: 1,048,576 ×16 - 位CMOS动态RAM [1,048,576 x 16 - Bit CMOS Dynamic RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 27 页 / 232 K
品牌: VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
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VIS
描述
VG26(V)(S)18165C
1,048,576 ×16 - 位
CMOS动态RAM
器件的CMOS动态随机存储器组织为1,048,576字×16位与扩展数据进出
模式。它是用纤维制作的高级亚微米CMOS技术和设计成从一个单一操作
只有5V或3.3V oniy电源。低电压工作,以对电池备份用更合适的,
便携式电子应用。所谓“自刷新”一个新的刷新功能支持,很慢CBR
周期被执行。 LT封装在JEDEC标准的42引脚塑料SOJ 。
特点
•单5V (
±
10%)或3.3V (
±
10 % ),只有电源
•高速吨
RAC
接取时间: 50 / 60ns的
•低功耗
- 主动沃德: 5V版本六百〇五分之六百六十零毫瓦( MAS)
3.3V版396分之432毫瓦( MAS)
- 待机模式: 5V版本1.375毫瓦( MAS)
3.3V版本0.54毫瓦( MAS)
•扩展 - 数据 - 输出(EDO )网页模式访问
• I / O电平: TTL兼容(VCC = 5V )
LVTTL兼容(VCC = 3.3V )
• 1024刷新周期为16毫秒(标准)或128毫秒(S版)
• 4刷新模式:
- RAS只刷新
- 中科院 - 前 - RAS刷新
- 隐藏刷新
- 自刷新(S版)
文档: 1G5-0147
Rev.1
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