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    VG26VS17405FJ 参数 Datasheet PDF下载

    VG26VS17405FJ图片预览
    型号： VG26VS17405FJ
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4194304 ×4 - 位CMOS动态RAM [4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 27 页 / 245 K
    品牌： VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号VG26VS17405FJ的Datasheet PDF文件第2页浏览型号VG26VS17405FJ的Datasheet PDF文件第3页浏览型号VG26VS17405FJ的Datasheet PDF文件第4页浏览型号VG26VS17405FJ的Datasheet PDF文件第5页浏览型号VG26VS17405FJ的Datasheet PDF文件第6页浏览型号VG26VS17405FJ的Datasheet PDF文件第7页浏览型号VG26VS17405FJ的Datasheet PDF文件第8页浏览型号VG26VS17405FJ的Datasheet PDF文件第9页  
    VIS
    描述
    VG26(V)(S)17405FJ
    4194304 ×4 - 位
    CMOS动态RAM
    该器件的CMOS动态RAM组织为4,194,304字× 4位，扩展数据进出
    模式。它是用纤维制作的高级亚微米CMOS技术和设计成从一个单一操作
    只有5V或3.3V oniy电源。低电压工作，以对电池备份用更合适的，
    便携式电子应用。所谓“自刷新”一个新的刷新功能支持，很慢CBR
    周期被执行。 LT封装在JEDEC标准的26 / 24-引脚塑料SOJ 。
    特点
    •单5V （
    ±
    10％）或3.3V （ 10 ％ ， - 5％）只有电源
    •高速吨
    RAC
    接取时间： 50 / 60ns的
    •低功耗
    - 主动沃德： 5V版本六百〇五分之六百六十零毫瓦（ MAS）
    3.3V版396分之432毫瓦（ MAS）
    - 待机模式： 5V版本1.375毫瓦（ MAS）
    3.3V版本0.54毫瓦（ MAS）
    •扩展 - 数据 - 输出（EDO ）网页模式访问
    • I / O电平： TTL兼容（VCC = 5V ）
    LVTTL兼容（VCC = 3.3V ）
    • 2048年的更新周期在32毫秒（标准）或128毫秒（S版）
    • 4刷新modesh ：
    - RAS只刷新
    - 中科院 - 前 - RAS刷新
    - 隐藏刷新
    - 自刷新（S版）
    文档： 1G5-0162
    Rev.1
    第1页

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