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VG36128161BT 参数 Datasheet PDF下载

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型号: VG36128161BT
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内容描述: CMOS同步动态RAM [CMOS Synchronous Dynamic RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 68 页 / 1356 K
品牌: VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
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VIS
描述
16 ×4 (字X位x行) ,分别。
VG36128401BT / VG36128801BT / VG36128161BT
CMOS同步动态RAM
该VG36128401B , VG36128801B和VG3664128161B是高速134217728位同步的
知性动态随机存取存储器,组织为8388608 ×4× 4 , 4194304 ×8× 4和2097152 X
同步DRAM的实现使用流水线架构的高速数据传输。所有输入
并输出与所述clock.The同步DRAM的上升沿同步是兼容
低电压TTL ( LVTTL )。这些产品被包装在54针TSOPII 。
特点
•单3.3V (
±
0.3V )电源
•高速时钟周期时间-7H : 133MHz<2-2-2> , -7L : 133MHz<3-3-3> , -8H : 100MHz<2-2-2>
•完全同步操作参考时钟上升沿
•可以断言在每一个周期中的随机接入列
•四银行内部由BA0 & BA1控制(银行选择)
•字节由LDQM和UDQM为VG36128161DT控制
•可编程的缠绕顺序(顺序/交织)
•可编程突发长度(1, 2 ,4,8和全页)
•可编程/ CAS延迟( 2和3 )
•自动预充电和预充电控制
• CBR (自动)刷新和自刷新
• X4 , X8 , X16组织
?? LVTTL兼容的输入和输出
• 4096刷新周期/ 64ms的
.
文档: 1G5-0183
Rev.1
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