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    VG3617161ET-7 参数 Datasheet PDF下载

    VG3617161ET-7图片预览
    型号： VG3617161ET-7
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    内容描述： CMOS同步动态RAM [CMOS Synchronous Dynamic RAM]
    分类和应用： 内存集成电路光电二极管动态存储器
    文件页数/大小： 69 页 / 1125 K
    品牌： VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号VG3617161ET-7的Datasheet PDF文件第2页浏览型号VG3617161ET-7的Datasheet PDF文件第3页浏览型号VG3617161ET-7的Datasheet PDF文件第4页浏览型号VG3617161ET-7的Datasheet PDF文件第5页浏览型号VG3617161ET-7的Datasheet PDF文件第6页浏览型号VG3617161ET-7的Datasheet PDF文件第7页浏览型号VG3617161ET-7的Datasheet PDF文件第8页浏览型号VG3617161ET-7的Datasheet PDF文件第9页  
    VIS
    描述
    VG3617161ET
    1,048,576 ×16 - 位
    CMOS同步动态RAM
    该VG3617161ET是CMOS同步动态RAM组织为524,288字×16位×2银行。
    它是制造与先进的亚微米CMOS工艺和设计，采用3.3V单电源工作
    电源。该SDRAM是精心设计的当前高速应用程序性能问题
    化。可编程CAS延迟和突发长度使人们有可能在广泛的各种领域中使用。它
    通过使用JEDEC标准的引脚排列和标准的塑料50针TSOP II封装。
    特点
    •单3.3V +/- 0.3V电源
    •时钟频率为166MHz ， 143MHz下， 125MHz的
    •完全同步的参考一个时钟上升沿的所有信号
    •可编程CAS Iatency （ 2,3 ）
    •可编程突发长度（ 1,2,4,8,&全页）
    •可编程的缠绕顺序（顺序/交织）
    •自动预充电和预充电控制
    •自动刷新和自刷新模式
    •通过A11双控制内部银行（银行选择）
    •同时，独立的两张银行操作
    • I / O电平： LVTTL接口
    •在每个周期的随机接入列
    • X16组织
    通过• LDQM和UDQM的字节控制
    • 4096刷新周期/ 64ms的
    •突发终止突发停止和预充电命令
    文档： 1G5-0189
    Rev.1
    第1页

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