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描述
初步
VG3664321(4)1(2)BT
CMOS同步动态RAM
该器件是CMOS同步动态RAM组织为524,288 - 字×32 - 位×4 -
银行和1,048,576 - 字×32 - 位x 2 - 银行，分别为。 LT是制造与先进
亚微米CMOS工艺和设计，从单只3.3V电源工作。这是
包装在JEDEC标准的引脚排列和标准的塑料TSOP封装。
特点
•单3.3V （
±
0.3V ）电源
•高速时钟周期时间： 8/10为LVTTL
•高速时钟周期时间： 8/10为SSTL - 3
•完全同步的参考一个时钟上升沿的所有信号
•可编程CAS Iatency （ 2,3 ）
•可编程突发长度（ 1,2,4,8,&全页）
•可编程的缠绕顺序（顺序/交织）
•自动预充电和预充电控制
•自动刷新和自刷新模式
•通过控制A11 （银行选择）的VG36643211双内部银行（ 2 ）
•四银行内部通过控制A11 & A12 （银行选择）的VG36643241 （ 2 ）
•每个银行可以同时，同步独立运行
•为VG36643211和VG36643241 LVTTL兼容的I / O接口
• SSTL - 3兼容的I / VG36643212和VG36643242 O接口
•在每个周期的随机接入列
• X32组织
•输入/输出DQM0控制3 〜
• 4096刷新周期/ 64ms的
•突发终止突发停止和预充电命令
•突发读/写单选项
文档： 1G5-0099
Rev.1
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VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
