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VG36646141BT-7 参数 Datasheet PDF下载

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型号: VG36646141BT-7
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内容描述: CMOS同步动态RAM [CMOS Synchronous Dynamic RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 70 页 / 973 K
品牌: VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
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VIS
描述
初步
VG36641641BT
CMOS同步动态RAM
该器件是CMOS同步动态RAM组织为1,048,576 - 字×16位×4行。这是
制造与先进的亚微米CMOS技术和设计为从一个单独的3.3V操作只
电源。它被封装在符合JEDEC标准的引脚排列和标准的塑料TSOP封装。
特点
•单3.3V (
±
0.3V )电源
•高速时钟周期时间: 8 / 10ns的
•完全同步的参考一个时钟上升沿的所有信号
•可编程CAS Iatency ( 2,3 )
•可编程突发长度( 1,2,4,8,&Full页)
•可编程的缠绕顺序(顺序/交织)
•自动预充电和预充电控制
•自动刷新和自刷新模式
•四银行内部通过A12 & A13 (库选择)控制
•每个银行可以同时,同步独立运行
• LVTTL兼容的I / O接口
•在每个周期的随机接入列
• X16组织
•输入/输出LDQM和UDQM控制
• 4096刷新周期/ 64ms的
•突发终止突发停止和预充电命令
•突发读/写单选项
显示的信息可能随时更改,恕不另行通知。
文档: 1G5-0127
Rev2
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