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VG36641641DT 参数 Datasheet PDF下载

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型号: VG36641641DT
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内容描述: CMOS同步动态RAM [CMOS Synchronous Dynamic RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 69 页 / 1363 K
品牌: VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
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VIS
描述
4 (字X位x行) ,分别。
VG36644041DT / VG36648041DT / VG36641641DT
CMOS同步动态RAM
该VG36644041D , VG36648041D和VG36641641D是高速67,108,864位同步
动态随机存取存储器,组织为4194304 ×4× 4 , 2097152 ×8× 4及1,048,576 ×16×
同步DRAM的实现使用流水线架构的高速数据传输。所有输入
并输出与所述clock.The同步DRAM的上升沿同步是兼容
低电压TTL ( LVTTL )。这些产品被包装在54针TSOPII 。
特点
•单3.3V (
±
0.3V )电源
•高速时钟周期时间
-6: 166MHz<3-3-3> ,仅适用于4MX16选项
-7 : 143MHz<3-3-3> , 133MHz<2-3-2>
-7L : 133MHz<3-3-3>
-8H : 100MHz<2-2-2>
•完全同步操作参考时钟上升沿
•可以断言在每一个周期中的随机接入列
•四银行内部通过A12 & A13 (库选择)控制
•字节由LDQM和UDQM为VG36641641D控制
•可编程的缠绕顺序(顺序/交织)
•可编程突发长度(1, 2 ,4,8和全页)
•可编程/ CAS延迟( 2和3 )
•自动预充电和预充电控制
• CBR (自动)刷新和自刷新
• X4 , X8 , X16组织
?? LVTTL兼容的输入和输出
• 4096刷新周期/ 64ms的
•突发终止突发停止和预充电命令
文档: 1G5-0177
Rev.2
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