VIS
概观
初步
VG4616321B/VG4616322B
262,144x32x2-Bit
CMOS同步图形RAM
该VG4616321 （2） SGRAM是一个高速含16M位的CMOS同步图形RAM中。它
在内部配置为双256K ×32 DRAM具有同步接口（所有信号被登记在
该时钟信号的上升沿时，CLK ） 。每一个256K ×32位的银行组织的1024行通过
256列32位。读取和写入访问的SGRAM是突发式;存取开始在
选定位置，并继续为在编程的顺序位置的设定的号码。访问
以一个BankActivate命令，然后接着是读或写命令的登记。
该VG4616321 （ 2 ）提供可编程的读或写突发的长度1 ， 2 ， 4 ， 8 ，或整页，
与突发终止选项。一种自动预充电功能可被使能，以提供一个自定时行预
充电被引发在脉冲串序列的末端。刷新功能，自动或自刷新
很容易使用。此外，它具有每比特的写入和掩蔽块写入功能。
通过具有可编程的模式寄存器和专用模式寄存器，系统可以选择最佳的
合适的模式，以最大限度地发挥其性能。这些器件非常适合于要求高的应用
存储器带宽，并且当与特殊的图形组合功能导致设备特别好地
适用于高性能的图形应用程序。
特点
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
从时钟的快速存取时间： 4.5 / 5 / 5.5ns
快速时钟速率： 200/166/143 MHz的
完全同步操作
内部流水线结构
双内置银行（ 256K ×32位× 2行）
可编程模式和特殊模式寄存器
- CAS延迟： 1 ， 2 ，或3
- 突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8 ，或整页
- 突发类型：交错式或线性爆裂
- 突发读单写
- 加载彩色或屏蔽寄存器
突发停止功能
通过DQM0-3控制单个字节
块写，写每比特的能力
自动刷新和自刷新
2048刷新周期/ 32ms的
+ 3.3V单
±
0.3V
电源
输入参考电压： VREF = 1.5V
±
0.2V
接口： LVTTL和SSTL_3
JEDEC 100 - pin塑料QFP封装
文档： 1G5-0145
Rev.1
第1页
VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
