VIS
初步
VG4632321A
524,288x32x2-Bit
CMOS同步图形RAM
COMMANDS
1 BankActivate &蒙面写禁止命令
（ RAS = “L” ， CAS = “ H” ，我们= “ H” ， DSF = “ L” ， BS =银行， A0 - A10 =行地址）
该BankActivate命令激活由BS （库选择）信号在指定的闲置银行。通过
在该命令的时间锁存上的A0行地址到A10，所选择的行的访问被启动。
在同一存储体的读或写操作可以吨的一个时间延迟之后发生
RCD
从时间（分）
银行激活。在同一家银行随后BankActivate命令到不同的行只能是
发行之前的活动行已预充电后（参见下图） 。最低
连续BankActivate命令之间的时间间隔相同的银行是由T定义
RC
（分钟） 。
该SGRAM具有两个内部银行的内部电路的同一芯片和股部，以减少
芯片面积，因此它限制了背到背激活两个银行。吨
RRD
（分钟）指定
需要激活不同银行之间的最短时间。之后使用此命令，写
命令和块写命令执行不带掩码写入操作。
T0
T1
T2
T3
Tn+3
Tn+4
Tn+5
Tn+6
CLK
银行
行地址。
RAS -CAS延迟（T
RCD
)
地址
银行
COL地址。
银行
行地址。
银行
行地址。
RAS- RAS的延迟时间（t
RRD
)
命令
银行
激活
NOP
NOP
R / W与
Autoprecharge
B组
激活
NOP
NOP
银行
激活
RAS周期时间（t
RC
)
Autoprecharge
开始
： “H”或“L”的
BankActivate指令周期（突发长度= N ， CAS延时= 3 ）
2
BankActivate &蒙面写使能命令（参见上图）
（ RAS = “L” ， CAS = “ H” ，我们= “ H” ， DSF = “ H” ， BS =银行， A0 - A10 =行地址）
该BankActivate命令激活由BS信号指定的闲置银行。在这之后命令
执行写入命令和块写命令执行蒙面写操作。在
被屏蔽的写入和掩蔽块写入功能，该被存储在写在I / O屏蔽数据
屏蔽寄存器被使用。
BankPrecharge命令
（ RAS = “L” ， CAS = “ H” ，我们= “ L” ， DSF = “ L” ， BS =银行， A8 = “ L” ， A0 -A7 ， A9 ， A10 =无关）
该BankPrecharge命令通过预充电BS信号指定的银行。预充电
银行从激活状态转换到空闲状态。此命令可以在任何时间之后断言
t
RAS
（分钟）是从银行所需的BankActivate命令满意。的最大时间的任何
银行可以为t指定的活动
RAS
（最大） 。因此，在预充电功能，必须在执行
T内的任何有效的银行
RAS
（最大） 。在预充电结束时，预充电的银行仍然处于空闲状态和
准备好被重新激活。
PrechargeAll命令
（ RAS = “L” ， CAS = “ H” ，我们= “ L” ， DSF = “ L” ， BS =无关， A8 = “ H” ， A0 -A7 ， A9 ， A10 =无关）
该PrechargeAll命令同时预充电两家银行。即使两家银行都没有
激活状态时， PrechargeAll命令可以被发出。两个银行然后切换到空闲
状态。
读命令
（ RAS = “H” ， CAS = “ L” ， WE = “ H” ， DSF = “ L” ， BS =银行， A8 = “ L” ， A0 - A7 =列地址， A9 ， A10 =不
护理）
3
4
5
文件：
Rev.1
第6页
VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
