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VG4632321AQ-6 参数 Datasheet PDF下载

VG4632321AQ-6图片预览
型号: VG4632321AQ-6
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内容描述: 524,288x32x2位CMOS同步图形RAM [524,288x32x2-Bit CMOS Synchronous Graphic RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 81 页 / 1954 K
品牌: VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
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VIS
概观
初步
VG4632321A
524,288x32x2-Bit
CMOS同步图形RAM
该VG4632321A SGRAM是包含32M位的高速CMOS同步图形RAM 。这是
内部配置为双512K ×32 DRAM具有同步接口(所有信号被登记在
该时钟信号的上升沿时,CLK ) 。每一个512K ×32位的银行的组织为2048行,256
列由32位。读取和写入访问的SGRAM是突发式;存取开始以选定
位置和持续的编程序列位置的设定的号码。访问开始
有BankActivate命令,然后接着是读或写命令的登记。
该VG4632321A提供可编程的读或写的1突发长度,2,4 ,8,或整页,以
突发终止选项。一种自动预充电功能可被使能,以提供一个自定时行预充电
被引发的脉冲串序列的末端。刷新功能,自动或自刷新容易
以使用。此外,它具有每比特的写入和掩蔽块写入功能。
通过具有可编程的模式寄存器和专用模式寄存器,系统可以选择最佳的
合适的模式,以最大限度地发挥其性能。这些器件非常适合于要求高的应用
存储器带宽,并且当与特殊的图形组合功能导致设备特别好地
适用于高性能的图形应用程序。
引脚配置(顶视图)
DQ29
V
SSQ
DQ30
DQ31
V
SS
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DD
DQ0
DQ1
V
SSQ
DQ2
特点
DQ3
V
DDQ
DQ4
DQ5
V
SSQ
DQ6
DQ7
V
DDQ
DQ16
DQ17
V
SSQ
DQ18
DQ19
V
DDQ
V
DD
V
SS
DQ20
DQ21
V
SSQ
DQ22
DQ23
V
DDQ
DQM0
DQM2
WE
CAS
RAS
CS
BS
A9
1
2
3
4
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
81
82
83
84
从时钟的快速存取时间: 4.5 / 5 / 5.5 / 6 / 7ns的
快速的时钟频率: 222 /200 / 166分之183 / 143MHz下
完全同步操作
内部流水线结构
双内置银行( 512K ×32位× 2行)
可编程模式和特殊模式寄存器
- CAS延迟: 1 , 2 ,或3
- 突发长度: 1 , 2 , 4 , 8 ,或整页
- 突发类型:交错式或线性爆裂
- 突发读单写
- 加载彩色或屏蔽寄存器
突发停止功能
通过DQM0-3控制单个字节
块写,写每比特的能力
自动刷新和自刷新
2048刷新周期/ 32ms的
+ 3.3V单
±
0.3V
电源
接口: LVTTL
JEDEC 100 - pin塑料QFP封装
80
79
78
77
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
DQ28
V
DDQ
DQ27
DQ26
V
SSQ
DQ25
DQ24
V
DDQ
DQ15
DQ14
V
SSQ
DQ13
DQ12
V
DDQ
V
SS
V
DD
DQ11
DQ10
V
SSQ
DQ9
DQ8
V
DDQ
NC
DQM3
DQM1
CLK
CKE
DSF
NC
A8/AP
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
50
49
48
47
A7
A6
A5
A4
V
SS
A10
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DD
A3
A2
A1
A0
关键的特定连接的阳离子
VG4632321A
t
CK
t
RAS
t
AC
t
RC
时钟周期时间(min 。 )
行活动时间(分钟)
存取时间从CLK (最大)
行周期时间(min 。 )
-4.5/-5/-5.5/-6/-7
4.5 / 5 / 5.5 / 6/7 NS
40/40/40/42/42 NS
4 / 4.5 / 5 / 5.5 / 6纳秒
55分之55 / 56.5 /六十二分之六十零纳秒
文件:
Rev.1
第1页