EDI2DL32256V
256Kx32同步Pipline突发3.3V SRAM
特点
s
t
KHQV
3.5 ， 3.8和4.0ns次
s
166 ， 150和133 MHz的时钟速度
s
DSP的存储解决方案
•德州仪器的TMS320C6201
•德州仪器的TMS320C67x
s
包装：
• 119引脚BGA ， JEDEC MO- 163
s
3.3V工作电源电压
s
为3.5ns输出使能访问时间
s
单写控制和输出使能线
s
单芯片使能线
s
56 ％的空间节省与单片TQFPs
s
多VCC和VSS引脚
s
降低电感和电容
描述
该EDI2DL32256VxxBC是3.3V ， 256Kx32同步管道
具有两个256Kx16构成突发的SRAM模安装在一个
多层层叠基板。该装置被装在一个119
铅， 14毫米由22毫米， BGA 。它配有主频of166 ，
150和133兆赫。该设备是管道突发的SRAM ，从而允许
用户可以建立一个快速的外部存储器，德州仪器
“ C6X ” 。在突发模式数据从所述第一存储器位置是
可在3个时钟周期，而随后的数据是
可在一个时钟周期（ 3/1/1/1 ） 。随后一阵AD-
由TMS320C6x的DSP产生的礼服。单个地址
位置也可以读取，允许在3个时钟一个存储器存取
周期。所有的同步输入由控制寄存器控
的正边沿触发的时钟输入（CLK） 。同步IN-
看跌期权，包括所有地址，所有的数据输入，芯片使能（ CE \\ ） ，爆
控制输入（ ADSC \\ ） ，字节写使能（ BW0 \\到BW3 \\ ）和
写使能（ BWE \\ ） 。
异步输入包括输出使能（ OE \\ ） ，连拍模式
控制（ MODE ） ，和睡眠模式控制（ ZZ ） 。数据输出
（ DQ ） ，通过OE \\启用，也是异步的。
地址线和芯片使能注册到地址
状态控制器（ ADSC \\ ）输入引脚。
图。 1
引脚配置
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V
DD
NC
NC
DQ
16
DQ
18
V
DD
DQ
21
DQ
23
V
DD
DQ
31
DQ
29
V
DD
DQ
26
DQ
24
NC
NC
V
DD
1
2
A
NC
A
NC
DQ
17
DQ
19
DQ
20
DQ
22
V
DD
DQ
30
DQ
28
DQ
27
DQ
25
NC
A
NC
NC
2
3
A
A
A
V
SS
V
SS
V
SS
BE
2
\
V
SS
NC
V
SS
BE
3
\
V
SS
V
SS
V
SS
模式
A
NC
3
4
NC
ADSC \\
V
DD
NC
CE \\
OE \\
NC
NC
V
DD
CLK
NC
BWE \\
A
1
A
0
V
DD
A
NC
4
5
A
A
A
V
SS
V
SS
V
SS
BE
1
\
V
SS
NC
V
SS
BE
0
\
V
SS
V
SS
V
SS
NC
A
NC
5
6
A
A
A
NC
DQ
9
DQ
11
DQ
12
DQ
14
V
DD
DQ
6
DQ
4
DQ
3
DQ
1
NC
A
NC
NC
6
7
V
DD
NC
NC
DQ
8
DQ
10
V
DD
DQ
13
DQ
15
V
DD
DQ
7
DQ
5
V
DD
DQ
2
DQ
0
NC
ZZ
V
DD
7
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
256K ×16
SSRAM
框图
A
0
-
17
CLK
ADSC \\
OE \\
BWE \\
CE \\
模式
ZZ
BE
0
\
BE
1
\
BE
2
\
BE
3
\
DQ
0
-
7
DQ
8
-
15
DQ
16
-
23
DQ
24
-
31
256K ×16
SSRAM
2000年11月第1版
ECO ＃ 13417
1
怀特电子设计公司• （ 508 ） 366-5151 •www.whiteedc.com
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