怀特电子设计
1Mx32闪存模块
描述
该EDI7F341MV和EDI7F2341MV被组织为一个
和1Mx32分别为两家银行。该模块基于
英特尔28F008S3 - 1Mx8闪存设备TSOP封装
其上安装一个的FR4基板上。
这两个模块都提供120为150ns的访问时间
允许的高速微处理器操作而不
等待状态。
EDI7F341MV
图。 1
方框图
EDI7F341MV - BNC ： 1Mx32 80引脚SIMM
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特点
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1Mx32和2x1Mx32密度
基于英特尔28F008S3闪存设备
快速读取访问时间 - 120ns的
灵活的智能电压
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3.0 - 3.6V的编程/擦除
3.0 - 3.6V阅读
每个器件有源电流30mA
每个器件CMOS待机电流10μA
低功耗
典型的耐力> 100,000次
3.3V ± 10 ％电源
CMOS和T
TL
Compatable输入和输出
商用和工业温度范围
包
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80引脚SIMM （ JEDEC ）
也可与金触点， P / N 7Gxxx 。
EDI7F2341MV - BNC ： 2x1Mx32 80引脚SIMM
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怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2000年5月
第1版
1
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