怀特电子设计
512Kx8塑料单片CMOS SRAM
特点
512Kx8位CMOS静态
随机存取存储器
•访问的17 ， 20 ，时间为25ns
•数据保持功能（ LPA版）
•扩展级温度测试
•数据保持功能测试
36脚JEDEC批准的革命引脚
•塑料SOJ （ 319包）
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
EDI88512CA-RP
WEDC的坚固耐用的塑料512Kx8 SRAM ，使
用户可以利用使用的成本优势
而不是网络的牺牲CING所有的可靠性塑料部件
提供一个完整的军事设备。
扩展温度测试与检验进行
关于WEDC使用而开发的模式是完全符合
512Kx8的SRAM 。 WEDC完全表征设备
以确定在适当的测试图案的测试
极端温度。这是因为临界
设备变更的操作特性时，它是
超越了商业性担保的设备操作的
可靠的网络连接场在极端温度下运行。
中WEDC的耐用塑料好处科幻吨，从WEDC的用户
为使用的SRAM特性丰富的经验
军事系统。
WEDC保证了低功耗设备将数据保留在数据
通过表征该设备以确定保留模式
合适的试验条件。这是系统的关键
密存储器操作在或低于-40 ℃，并用
如512Kx8s 。
WEDC的坚固耐用的塑料SOJ是兼容的足迹
与WEDC的充分的军事陶瓷36引脚SOJ 。
图。 1 - 引脚配置
引脚说明
顶视图
A0
A1
A2
A3
A4
CS ＃
I/O0
I/O1
VCC
VSS
I/O2
I/O3
WE＃
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A18
A17
A16
A15
OE ＃
I/O7
I/O6
VSS
VCC
I/O5
I/O4
A14
A13
A12
A11
A10
NC
I / O
0-7
A
0-18
WE＃
CS ＃
OE ＃
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源（+ 5V± 10％）的
地
框图
V
CC
V
SS
36pin
革命的
NC
存储阵列
没有连接
A
Ø-18
地址
卜FF器
地址
解码器
I / O
电路
I / O
Ø-7
WE＃
CS ＃
OE ＃
2004年5月
启示录6
1
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WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
