EDI8F32512C
512Kx32静态RAM CMOS ，高速模块
特点
512Kx32位CMOS静态
随机存取存储器
访问次数： 15 ， 20 ，和为25ns
单个字节的选择
完全静态的，并没有时钟
TTL兼容的I / O
高密度封装
72引脚ZIP ， 173号
72铅SIMM ，第174号（金选）
常见的数据输入和输出
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
注：可用性咨询工厂：
•符合RoHS标准的产品
•供应商源控制选项
•工业温度选项
描述
该EDI8F32512C是一个高速16兆的静态RAM
模块由32位组织为512K字。这个模块是
从四个512Kx8静态RAM，在SOJ封装构造
对环氧树脂层压板（ FR4 ）板。
四个芯片使（EO -E3 ）用于独立地
使4个字节。读或写可以执行对
单个字节或多个字节，通过任意组合
正确使用选择的。
该EDI8F32512C提供72引脚ZIP和72引线SIMM
包，这使得能够存储16兆比特被放置
在不到1.3平方英寸的电路板空间。
所有的输入和输出为TTL兼容的，并从运营
5V单电源。完全异步电路不需要
时钟或刷新操作，并提供了平等的机会
和周期时间的易用性。
销PD1- PD4 ，用于标识在模块存储器密度
应用中备用模块可以互换。
图。 1
销精读网络gurations和框图
NC
PD3
PD0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
CC
A7
A8
A9
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
W#
A14
E0#
E2#
A16
V
SS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
A10
A11
A12
A13
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
V
SS
NC
NC
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
66
68
70
72
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
61
63
65
67
69
71
NC
PD2
V
SS
PD1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
A0
A1
A2
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
V
SS
A15
E1#
E3#
A17
G#
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
A3
A4
A5
V
CC
A6
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
A18
NC
引脚名称
A0-A18
E0#-E3#
W#
G#
DQ0-DQ31
V
CC
V
SS
NC
A0-A18
W#
G#
512K
X 8
E0#
512K
X 8
E1#
512K
X 8
E2#
512K
X 8
E3#
8G32512C座直径。
地址输入
芯片使
写使能
OUTPUT ENABLE
通用数据
输入/输出
电源（+ 5V± 10％）的
地
无Connectiona
DQ0-DQ7
DQ8-DQ15
DQ16-DQ23
DQ24-DQ31
PD0 ， PD1 ， PD3 = OPEN
PD2 = V
SS
8G32512C引脚配置。
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2006年3月
9牧师
1
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