怀特电子设计
512Kx8静态RAM CMOS ，模块
特点
512Kx8位CMOS静态
随机存取存储器
??访问时间20到100纳秒
??数据保持功能（ EDI8F8512LP ）
• TTL兼容的输入和输出
??完全静态的，并没有时钟
高密度封装
?? 36引脚SIP ，第63号
?? 32引脚DIP， JEDEC引脚， 91号（ 55-100ns ）
?? 32引脚DIP， JEDEC引脚， 183号（ 20-35ns ）
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
*本产品如有变更，恕不另行通知。
EDI8F8512C
描述
该EDI8F8512C是4096K位CMOS静态RAM基于四个
安装在一个多128Kx8或256Kx4 （高速）的静态RAM的
多层环氧树脂层压板（ FR4 ）基板。
功能等同于整体式四兆的静态RAM
通过利用一个板上解码器，它解释了所取得
高阶地址（ ES ）选择the128Kx8或256Kx4静态之一
的RAM 。
32引脚DIP引脚排列坚持四个JEDEC标准
兆位的设备，以确保与未来的不定形的兼容性。
低功率版数据保留（ EDI8F8512LP ）也
可用。
所有的输入和输出为TTL兼容，从单一经营
5V电源。完全异步的， EDI8F8512C不需要时钟
或刷新操作。
图。 1
销刀豆网络gurations
NC
V
CC
W#
DQ2
DQ3
DQ0
A1
A2
A3
A4
V
SS
DQ5
A10
A11
A5
A13
A14
NC
E#
A15
A16
A12
A18
A6
DQ1
V
SS
A0
A7
A8
A9
DQ7
DQ4
DQ6
A17
V
CC
G#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
8F8512C引脚配置。
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
8F8512C引脚配置
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
A17
W#
A13
A8
A9
A11
G#
A10
E#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
引脚名称
A0-A18
E#
W#
G#
DQ0-DQ7
V
CC
V
SS
NC
地址输入
芯片使能
写使能
OUTPUT ENABLE
常见的数据输入/输出
电源（+ 5V± 10％）的
地
无连接
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2002年7月
修订版13A
1
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