怀特电子设计
128Kx24异步SRAM ， 5V
特点
128Kx24位CMOS静态
随机存取存储器阵列
快速访问次数： 12和15ns的
主输出使能和写控制
TTL兼容的输入和输出
完全静态的，并没有时钟
EDI8L24128C
描述
该EDI8L24128CxxBC是5V ，三兆位的SRAM
具有三个128Kx8构造模安装在一个多
叠层基板。 12〜 15ns的存取时间， X24
宽度和一个5V的工作电压，所述EDI8L2418C是理想
创建了摩托罗拉的单芯片解决方案内存
DSP5600x或为ADI公司的双芯片解决方案
SHARC ™DSP 。
单或双片外存储器解决方案提供了改善
通过减少电路板走线长度的系统性能
与相比，使用电路板的连接数
多个单片器件。例如，电容
负载上的BGA封装的数据线是小于58％的
单片SOJ的解决方案。
JEDEC标准119 BGA率先提供了44 ％的空间
节省了使用128Kx8 ， 300毫米宽SOJs和
BGA封装具有100mm的高度比148毫米
为SOJ包装。
表面贴装封装
119引脚BGA （ JEDEC MO- 163 ） ，第391
占地面积小， 14毫米X 22毫米
多个接地引脚的最大噪声
免疫
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
DSP的存储解决方案
摩托罗拉DSP5600x ™
ADI公司的SHARC ™
图。 1引脚配置
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
1
NC
NC
DQ
12
DQ
13
DQ
14
DQ
15
DQ
16
DQ
17
NC
DQ
18
DQ
19
DQ
20
DQ
21
DQ
22
DQ
23
NC
NC
2
A
0
A
5
NC
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
NC
A
9
A
13
3
A
1
A
6
NC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
NC
A
10
A
14
4
A
2
E
NC
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
NC
W
G
5
A
3
A
7
NC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
NC
A
11
A
15
6
A
4
A
8
NC
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
V
CC
NC
A
12
A
16
7
NC
NC
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
NC
DQ
6
DQ
7
DQ
8
DQ
9
DQ
10
DQ
11
NC
NC
引脚说明
A0-16
E#
W#
G3
DQ0-23
V
CC
GND
NC
地址输入
芯片使
写使能
主输出使能
通用数据
输入/输出
电源（+ 5V± 10％）的
地
无连接
A0-A16
G#
W#
E#
128K X 24
内存
ARRAY
DQ0-DQ7
DQ8-DQ15
DQ16-DQ23
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2002年1月
第1版
1
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