怀特电子设计
128Kx32 CMOS高速静态RAM
特点
128Kx32位CMOS静态
随机存取存储器阵列
快速访问时间： 12 ，15，17 ，20，和25ns的
单个字节使能
用户刀豆网络可配置组织以最少
附加逻辑
主输出使能和写控制
TTL兼容的输入和输出
完全静态的，并没有时钟
68引脚PLCC ， 99号（ JEDEC MO- 47AE ）
占地面积小， 0.990平方米。在。
多个接地引脚的最大噪声
免疫
EDI8L32128C
描述
该EDI8L32128C是一个高速，高性能，
4兆位密度的静态RAM组织为128Kx32
位阵列。
四个芯片使，写控制和输出使能
提供了灵活的存储解决方案的用户。用户
可以独立地使每个4字节，并且
以最小的附加外围设备的逻辑，该单元可以是
CON组fi gured作为256Kx16或512Kx8阵列。
完全异步电路使用，无需时钟或
刷新操作，并提供平等的接入和
周期的易用性。
该EDI8L32128C ，允许4兆内存是
放置在低于0.990平方英寸的电路板空间;一
以上四个标准128Kx8储蓄0.885平方英寸
组件。
表面贴装封装
单+ 5V （ ± 5 ％ ）电源供电
注：焊锡溢流温度不应超过230℃
图。 1引脚配置
顶视图
DQ16
NC
NC
E3#
E2#
E1#
E0#
NC
V
CC
NC
NC
G#
W#
A16
A15
A14
DQ15
9
8
7
6
5
4
3
2
1
68
67
66
65
64
63
62
61
引脚说明
AØ-16
EØ-3#
W#
G#
DQØ-31
V
CC
V
SS
NC
地址输入
芯片启用（每字节）
写使能
主输出使能
常见的数据输入/输出
电源（ + 5V ± 5 ％ ）
地
无连接
DQ17
DQ18
DQ19
V
SS
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
V
CC
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
V
SS
DQ28
DQ29
DQ30
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
DQ14
DQ13
DQ12
V
SS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
VCC
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
V
SS
DQ3
DQ2
DQ1
框图
A0-A16
G#
W#
E0#
E1#
E2#
E3#
17
128Kx32
内存
ARRAY
DQ0-DQ7
DQ8-DQ15
DQ16-DQ23
DQ24-DQ31
注：引脚2 & 67的64Kx32 （ EDI8L3265C ）和256Kx32 （ EDI8L32256C ）的字选择引脚。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2002年8月，
启示录6
1
怀特电子设计公司• （ 602 ） 437-1520 •www.wedc.com
DQ31
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
V
CC
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
DQ0
WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
