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EDI8L32512C15AC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EDI8L32512C15AC
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内容描述: 512Kx32 CMOS高速静态RAM [512Kx32 CMOS High Speed Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 8 页 / 110 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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怀特电子设计
绝对最大额定值*
任何引脚相对于V电压
SS
工作温T
A
(环境)
广告
产业
储存温度,塑料
功耗
输出电流
结温, TJ
-0.5V至7.0V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
5.0瓦
20毫安
175°C
EDI8L32512C
建议的直流工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
4.75
0
2.2
-0.3
典型值
5.0
0
--
--
最大
5.25
0
V
CC
+0.5V
0.8
单位
V
V
V
V
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
注:对于T
EHQZ
,t
GHQZ
和T
WLQZ
, CL = 5pF的)
*压力大于下"Absolute最大Ratings"上市
可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
该器件在这些或任何其他唯一和功能操作
条件比那些在业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
V
SS
至3.0V
5ns
1.5V
图2
图。 2
VCC
图。 3
480Ω
VCC
480Ω
Q
255Ω
30pF
Q
255Ω
5pF
DC电气特性
参数
工作电源电流
待机( TTL )电源电流
全部备用电源电流
CMOS
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
符号
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
条件
W# = V
IL
, I
I / O
= 0毫安,闵周期
Ë # ≥ V
IH
, V
IN
≤ V
IL
或V
IN
≥V
IH
, F = 0MHz处
Ë # ≥ V
CC
-0.2V
V
IN
≥ V
CC
-0.2V或V
IN
≤ 0.2V
V
IN
= 0V至V
CC
V I / O = 0V至V
CC
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 8.0毫安
最大
12-25
800
200
40
±10
±10
2.4
0.4
17/20
720
200
40
单位
ns
mA
mA
mA
µA
µA
V
V
真值表
G#
X
H
L
X
2000年8月
启示录7
电容
动力
I
CC2
I
CC3
I
CC1
I
CC1
I
CC1
2
E#
H
L
L
L
W#
X
H
H
L
模式
待机
输出取消
产量
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
( F = 1.0MHz的,V
IN
=V
CC
或V
SS
)
参数
符号
地址线
CI
数据线
CD / Q
写&输出使能线W# , G#
芯片使能线
E0#-E3#
最大
30
10
30
8
单位
pF
pF
pF
pF
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