怀特电子设计
512Kx32 CMOS高速静态RAM
特点
DSP的存储解决方案
摩托罗拉DSP96002
模拟SHARC DSP
德州仪器TMS320C3X ， TMS320C4X
随机存取存储器阵列
快速访问时间： 12 * ， 15 ， 17 ，和20ns的
TTL兼容的I / O
完全静态的，并没有时钟
表面贴装封装
68引脚PLCC ， 99号JEDEC M0-47AE
占地面积小， 0.990平方米。在。
多个接地引脚的最大噪声抗扰度
单+ 5V （ ± 5 ％ ）电源供电
*先进的信息
EDI8L32512C
描述
该EDI8L32512C是一个高速，5V， 16Mb的SRAM中。该
设备是可用的12 ，15，17的存取时间和
20ns的允许创建一个无等待状态的DSP内存
的解决方案。高速， 5V电源电压和控制线
使divice非常适合创建浮动点DSP存储器
的解决方案。
该设备可以是CON组fi gured作为一个512K ×32和用于
创建TI的单芯片外部数据存储器解决方案
TMS320C30 / C31 （图8） ， TMS320C32 （图9）或
TMS320C4X （图10 ） ，摩托罗拉DSP96002和模拟的
SHARC的DSP （图11） 。另外，该设备的芯片
能使可用于CON组fi gure它作为一个1M X 16， 1M ×48
创建模拟的SHARC DSP程序存储器阵列
使用三个器件（图12） 。如果内存过深，
2 512K X部24s （ EDI8L24512C ）可以被用来创建一个512K
×48阵列或两个128K ×48阵列。
器件相比提供了56 ％的空间节省
四512K ×8 ， 36引脚SOJs 。另外EDI8L32512C
对在数据线与32pF为4只一10pF的负载
塑料SOJs 。
该器件提供了EDI8L32256C的内存升级
（ 256K ×32）或EDI8L32128C （ 128K ×32） 。有关其他
升级信息，请参见图13 。
注：焊锡再溢流温度应不超过230 ℃下进行10秒。
图。 1引脚配置和框图
DQ16
A18
A17
E3#
E2#
E1#
E0#
NC
VCC
NC
NC
G#
W#
A16
A15
A14
DQ15
引脚名称
A0-A18
E0#-E3#
W#
G#
DQ0-DQ31
V
CC
V
SS
NC
地址输入
芯片使
写入启用
OUTPUT ENABLE
常见的数据输入/输出
电源（+ 5V± 10％）的
地
无连接
字节控制
表
芯片
启用
E0#
E1#
E2#
E3#
字节
控制
DQ0-7
DQ8-15
DQ16-23
DQ24-31
9
8
7
6
5
4
3
2
1
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
DQ17 10
DQ18 11
DQ19 12
V
SS
13
DQ20 14
DQ21 15
DQ22 16
DQ23 17
V
CC
18
DQ24 19
DQ25 20
DQ26 21
DQ27 22
V
SS
23
DQ28 24
DQ29 25
DQ30 26
DQ14
DQ13
DQ12
V
SS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
V
CC
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
V
SS
DQ3
DQ2
DQ1
注：有关内存升级的信息，请参阅第8页，图13 "EDI MCM -L升级Path"
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2000年8月
启示录7
1
怀特电子设计公司• （ 602 ） 437-1520 •www.wedc.com
DQ31
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
V
CC
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
DQ0
A0-18
19
G#
W#
E0#
E1#
E2#
E3#
512K ×32
内存
ARRAY
DQ0-DQ7
DQ8-DQ15
DQ16-DQ23
DQ24-DQ31
WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
