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EDI8L32512V15AI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EDI8L32512V15AI
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内容描述: 512Kx32 SRAM Module.3.3V [512Kx32 SRAM Module.3.3V]
分类和应用: 存储静态存储器
文件页数/大小: 8 页 / 231 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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怀特电子设计
512Kx32 SRAM Module.3.3V
特点
DSP的存储解决方案
ADSP- 21060L ( SHARC )
ADSP- 21062L ( SHARC )
德州仪器TMS320LC31
MPC860 (功率高通创新中心)
快速访问次数: 12 , 15 , 17 ,和20ns的
单个字节使能
用户CON组fi guration组织以最少
附加逻辑
主输出使能和写控制
TTL兼容的输入和输出
完全静态的,并没有时钟
68引脚PLCC , 99号JEDEC MO- 47AE
占地面积小, 0.990平方米。在。
多个接地引脚的最大噪声
免疫
EDI8L32512V
描述
该EDI8L32512V是一个高速,3.3V, 16兆位的SRAM 。
该装置可为12 ,15,17的存取时间和
20ns的允许创建一个无等待状态的DSP和RISC的
微处理器的内存解决方案。
该设备可以是CON组fi gured作为一个512K ×32和用于
创建TI的单芯片外部数据存储器解决方案
TMS320LC31 (FI gure 5 ) ,或模拟的SHARC
TM
DSP (FI gure
6).
器件相比提供了56 %的空间节省
四512Kx8 , 36引脚SOJs 。另外EDI8K32512V
仅具有一个10pF的负载在数据线与32 pF的四个
塑料SOJs 。
该器件提供了EDI8F32256V的内存升级
( 256K ×32)或EDI8L32128V ( 128K ×32) (科幻gure 8)。
另外,该设备的芯片使能精读连接gure它作为
一个1米x 16, 1M ×48程序存储器阵列模拟的
CHARC DSP使用三个设备(FI gure 7 )创建的。
If
RISC的存储解决方案
随机存取存储器阵列
表面贴装封装
这种记忆太深,二512K X 24S ( EDI8L24512V )
可以用来创建一个512K ×48阵列或两个128K X
部24s ( EDI8L24128V )可以被用来创建一个128K ×48
数组。
注意:士兵再溢流温度不应超过260 ℃,10秒。
单+ 3.3V ( ± 5 % )电源供电
图。 1
销刀豆网络gurations
DQ16
A18
A17
E3#
E2#
E1#
E0#
NC
V
CC
NC
NC
G#
W#
A16
A15
A14
DQ15
9
8
7
6
5
4
3
2
1
68
67
66
65
64
63
62
61
A0-A18
E0#-E3#
引脚说明
DQ17
DQ18
DQ19
V
SS
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
V
CC
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
V
SS
DQ28
DQ29
DQ30
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
DQ14
DQ13
DQ12
V
SS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
V
CC
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
V
SS
DQ3
DQ2
DQ1
W#
G#
DQ0-DQ31
V
CC
V
SS
NC
地址输入
芯片使
(每一个字节)
写使能
主输出使能
通用数据
输入/输出
电源( + 3.3V ± 5 % )
无Connectiona
框图
A0-18
G#
W#
E0#
E1#
E2#
E3#
1
19
512K ×32
内存
ARRAY
DQ0-DQ7
DQ8-DQ15
DQ16-DQ23
DQ24-DQ31
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子,恕不另行通知。
十月。 2000
第3版
怀特电子设计公司• ( 602 ) 437-1520 •www.wedc.com
DQ31
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
V
CC
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
DQ0