怀特电子设计
32Mx72同步DRAM
特点
高频= 100 ， 125 ， 133MHz的
包装：
• 208塑料球栅阵列（ PBGA ） ， 16× 22毫米
± 3.3V核心和I / O 0.3V电源
完全同步;所有注册的积极信号
系统时钟周期的边缘
内部流水线操作;列地址可以是
改变了每个时钟周期
内部银行隐藏行存取/预充电
可编程突发长度为1,2,4,8或整页
8192刷新周期
商用，工业和军用温度
范围
组织为32M X 72
重量： W332M72V - XSBX - 2.0克典型
W332M72V-XSBX
概述
在256MByte （ 2GB） SDRAM是高速CMOS ，
动态随机存取，内存使用5片含
536,870,912位。每个芯片内部CON连接gured作为
四银行的DRAM ，具有同步接口。每
该芯片的134217728位银行的组织结构8,192
行了1024列16位。
读取和写入访问到SDRAM被爆ori-
ented ;存取开始在一个选定的位置，并继续
对于地点在编程设定的号码
序列。访问开始时的注册
ACTIVE命令，然后接着是读或
写命令。地址位重合注册
与ACTIVE命令用于选择银行
和被访问的行（ BA0 ， BA1选择银行; A0〜
12选择行） 。地址位重合注册
用READ或WRITE命令被用来选择
开始为突发访问列位置。
在SDRAM提供了可编程的读或写
的1，2， 4或8的位置，或在整页的突发长度，以
一阵终止选项。自动预充电功能
可被使能，以提供一个自定时行预充电该
开始在脉冲串序列的末端。
2GB的SDRAM采用内部管线架构
实现高速操作。这个体系结构是兼容
与预取结构的2n个规则，但它也可以
列地址可以在每个时钟周期变更为
实现了高速的，完全的随机访问。预充电
一家银行在访问其他三个银行之一
将隐藏在预充电周期，并提供无缝的，高
速度，随机存取操作。
2GB的SDRAM设计，在3.3V下工作。自动
刷新模式设置，以及一个省电，
掉电模式。
好处
73 ％的空间节省
减少了部件数量
减少I / O数量
• 23 ％的I / O减少
减少布线长度，以更低的寄生
电容
适用于喜可靠性的应用
层压板插最佳匹配TCE
*本产品如有变更，恕不另行通知。
分立方案
11.9
11.9
11.9
11.9
11.9
实际尺寸
22.3
54
TSOP
54
TSOP
54
TSOP
54
TSOP
54
TSOP
怀特电子设计
W332M72V-XSBX
16
22
S
A
V
I
N
G
S
73%
23%
区域
I / O
算
菊; Y 2006年
第3版
5× 265毫米
2
= 1325mm
2
5× 54针= 270针
1
352mm
2
208球
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WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
